场效应管的型号有多少？
IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
可配对的结型场效应管型号
结型场效应管可以配对的型号有2N3819、2N5457、2N5460、2N5461、2N5462、2N5463、2N5464、2N5465、2N5466、2N5467、2N5468、2N5469、2N5470、2N5471、2N5472、2N5473、2N5474、2N5475、2N5476、2N5477、2N5478、2N5479、2N5480、2N5481、2N5482、2N5483、2N5484、2N5485、2N5486、2N5487、2N5488、2N5489、2N5490、2N5491、2N5492、2N5493、2N5494、2N5495、2N5496、2N5497、2N5498、2N5499、2N5500、2N5501、2N5502、2N5503、2N5504、2N5505、2N5506、2N5507、2N5508、2N5509、2N5510、2N5511、2N5512、2N5513、2N5514、2N5515、2N5516、2N5517、2N5518、2N5519、2N5520、2N5521、2N5522、2N5523、2N5524、2N5525、2N5526、2N5527、2N5528、2N5529、2N5530、2N5531、2N5532、2N5533、2N5534、2N5535、2N5536、2N5537、2N5538、2N5539、2N5540、2N5541、2N5542、2N5543、2N5544、2N5545、2N5546、2N5547、2N5548、2N5549、2N5550、2N5551、2N5552、2N5553、2N5554、2N5555、2N5556、2N5557、2N5558、2N5559、2N5560、2N5561、2N5562、2N5563、2N5564、2N5565、2N5566、2N5567、2N5568、2N5569、【摘要】
可配对的结型场效应管型号【提问】
结型场效应管可以配对的型号有2N3819、2N5457、2N5460、2N5461、2N5462、2N5463、2N5464、2N5465、2N5466、2N5467、2N5468、2N5469、2N5470、2N5471、2N5472、2N5473、2N5474、2N5475、2N5476、2N5477、2N5478、2N5479、2N5480、2N5481、2N5482、2N5483、2N5484、2N5485、2N5486、2N5487、2N5488、2N5489、2N5490、2N5491、2N5492、2N5493、2N5494、2N5495、2N5496、2N5497、2N5498、2N5499、2N5500、2N5501、2N5502、2N5503、2N5504、2N5505、2N5506、2N5507、2N5508、2N5509、2N5510、2N5511、2N5512、2N5513、2N5514、2N5515、2N5516、2N5517、2N5518、2N5519、2N5520、2N5521、2N5522、2N5523、2N5524、2N5525、2N5526、2N5527、2N5528、2N5529、2N5530、2N5531、2N5532、2N5533、2N5534、2N5535、2N5536、2N5537、2N5538、2N5539、2N5540、2N5541、2N5542、2N5543、2N5544、2N5545、2N5546、2N5547、2N5548、2N5549、2N5550、2N5551、2N5552、2N5553、2N5554、2N5555、2N5556、2N5557、2N5558、2N5559、2N5560、2N5561、2N5562、2N5563、2N5564、2N5565、2N5566、2N5567、2N5568、2N5569、【回答】
能不能再展开讲讲？【提问】
结型场效应管是一种电子器件，它可以控制电子信号的流动，并且可以改变电子信号的大小。它是由一个封装在金属管中的晶体管组成的，其中包含一个控制电子流动的晶体管，以及一个改变电子信号大小的晶体管。常见的结型场效应管型号有2N3819、2N3904、2N3906、2N4401、2N4403、2N5401、2N5551、2N6027、2N7000、2N7002、2N7008、2N7001、2N7009、2N7003、2N7010、2N7004、2N7011、2N7005、2N7012、2N7006、2N7013、2N7007、2N7014等。结型场效应管的特点是它具有较高的静态电流增益，可以提供较高的输出电流，并且具有较低的输入电容，可以提供较低的输入电压。此外，它还具有较低的噪声系数，可以提供较低的噪声水平，以及较高的稳定性，可以提供较高的稳定性。结型场效应管可以用于各种电子设备，如放大器、滤波器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放大器、放【回答】
怎么从电路中看出mos管的型号？
要从电路中看出MOS管的型号，可以通过以下几种方法：
查看电路板上的标识：有些电路板上会标注MOS管的型号，可以直接从标识上找到。
查看MOS管的封装：MOS管的封装形式也会有一定的特征，例如TO-220、TO-92等，可以通过封装形式来初步判断MOS管的型号。
查看MOS管的标志代码：有些MOS管上会有特定的标志代码，通过查阅相关资料或数据手册，可以找到对应的型号。
使用测试仪器：使用万用表或测试仪器对MOS管进行测试，可以得到一些参数，如漏极电流、漏极电压等，然后通过这些参数来推测MOS管的型号。
需要注意的是，以上方法只能初步推测MOS管的型号，准确的型号还需要通过查阅相关资料或数据手册来确认。来源：中芯巨能
mos管的常见型号
型号 电压/电流 封装 2N7000 60V,0.115A TO-922N7002 60V,0.2A SOT-23IRF510A 100V,5.6A TO-220IRF520A 100V,9.2A TO-220IRF530A 100V,14A TO-220IRF540A 100V,28A TO-220IRF610A 200V,3.3A TO-220IRF620A 200V,5A TO-220IRF630A 200V,9A TO-220IRF634A 250V,8.1A TO-220IRF640A 200V,18A TO-220IRF644A 250V,14A TO-220IRF650A 200V,28A TO-220IRF654A 250V,21A TO-220IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF730A 400V,5.5A TO-220IRF740A 400V,10A TO-220IRF750A 400V,15A TO-220IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF840A 500V,8A TO-220IRFP150A 100V,43A TO-3PIRFP250A 200V,32A TO-3PIRFP450A 500V,14A TO-3PIRFR024A 60V,15A D-PAKIRFR120A 100V,8.4A D-PAKIRFR214A 250V,2.2A D-PAKIRFR220A 200V,4.6A D-PAKIRFR224A 250V,3.8A D-PAKIRFR310A 400V,1.7A D-PAK
场效应管有什么作用
场效应管的作用⒈场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。⒉场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。⒊场效应管可以用作可变电阻。⒋场效应管可以方便地用作恒流源。⒌场效应管可以用作电子开关。场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）的简称。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。向左转|向右转一、工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的，用以栅极与沟道间的结形成的反偏的栅极电压控制”。更正确地说，流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS()，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。⒈MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。⒉C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。二、作用⒈场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。⒉场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。⒊场效应管可以用作可变电阻。⒋场效应管可以方便地用作恒流源。⒌场效应管可以用作电子开关。
如何测试判断场效应管好坏？
您好 亲 参考一下 场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，
2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，
3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿
场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。
与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数 载流子导电，因此它的 温度稳定性较好；
（4）它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数；
（5）场效应管的抗 辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的 电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部【摘要】
如何测试判断场效应管好坏？【提问】
您好 亲 参考一下 场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，
2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，
3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿
场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。
与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数 载流子导电，因此它的 温度稳定性较好；
（4）它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数；
（5）场效应管的抗 辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的 电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部【回答】